感谢网友 Star2011 的投稿
今年4月,曾经对UFS/eMMC/LPDDR等不同的存储介质进行了科普。随着UFS的普及,多数人可能更关心UFS2.0/UFS2.1之间的具体区别,下面就带各位读者一探究竟。
2013年9月,JEDEC发布了UFS 2.0的闪存存储标准,其最大的特点是采用串行数据传输,全双工模式,支持指令队列。相比EMMC读取写入分开进行的半双工模式,UFS的全双工模式意味着读取和写入可以同时进行。指令队列的加入意味着无需再向EMMC5.1之前的版本一样,每一条指令的提交必须等待前一条指令的完成。
UFS 2.0闪存读写速度强制标准为HS-G2(High speed GEAR2),可选标准为HS-G3。HS-G2 1Lane最高读写速度为2.9Gbps(约为360MB/s),2Lane最高读写速度为5.8Gbps(约为725MB/s)。可选标准HS-G3 1Lane最高读写速度为5.8Gbps(约为725MB/s),2Lane最高读写速度为11.6Gbps(约为1.45GB/s)。HS-G2 1Lane由于读写速度与EMMC5.1相比没有明显的优势,相应的商业产品较为罕见。
UFS系统模型
2016年3月,JEDEC发布了UFS 2.1的闪存存储标准。相比UFS2.0,速度标准没有任何变化,仍然为强制标准HS-G2,可选标准HS-G3。改进主要分为三部分:设备健康(包括预防性维护)、性能优化(包括指令优先和固件升级)和安全保护。设备健康信息包括剩余预留块和设备使用寿命信息,指令优先允许向紧急的任务分配更高的优先级,安全保护则支持操作系统和应用级别细粒度的写入保护(包括UFS控制器硬件级别加密)。
UFS2.1/UFS2.0采用相同的速率标准
UFS2.1(JESD220C) / UFS2.0(JESD220B)区别
对于闪存制造商而言,由于UFS2.0已推出HS-G32Lane对应的版本,UFS2.1选用更低的标准不再有太多的意义。因此市面上UFS2.1全部采用可选的HS-G32Lane标准,即最高读写速率为11.6Gbps。
需要提醒的是,部分手机制造商更青睐宣传HS-G3 2Lane两倍的读写速度(11.6Gbps,接近1.5GB/s),并将其作为"UFS2.1"的事实标准。以三星S8和华为Mate9使用的东芝UFS2.0闪存为例,型号为THGBF7G9L4LBATR的产品采用HS-G3 2Lane标准,最高读写速率为1166MB/s,与三星S8+使用的东芝UFS2.1闪存THGAF4G9N4LBAIR在最高读写速率上没有区别。然而,后者得益于全新的产品,其顺序读取、顺序写入、随机读取、随机写入比前者分别快40%、16%、120%、80%。